以GD32F303為例,查詢(xún)DATASHEET外部時(shí)鐘電氣特性小節(jié)可以看到晶振支持范圍是4—32M范圍均可選擇
反饋電阻可以使芯片內(nèi)部反相器穩(wěn)定工作在線(xiàn)性區(qū)間,雖然一般MCU內(nèi)部是設(shè)計(jì)有反饋電阻的,但根據(jù)晶振頻率不同,反饋電阻的范圍會(huì)有區(qū)別,所以可以根據(jù)晶振頻率來(lái)選擇合適阻值的反饋電阻,典型的反饋電阻取值范圍如下表,根據(jù)GD32F303的晶振范圍,1MΩ基本可以全區(qū)間要求。
負(fù)載電容對(duì)晶振穩(wěn)定性至關(guān)重要,晶振的規(guī)格書(shū)中一般會(huì)給出推薦的負(fù)載電容值,但實(shí)際負(fù)載電容需要外部匹配電容和PCB走線(xiàn)雜散電容來(lái)綜合計(jì)算。一般我們采用如下公式計(jì)算:
阻尼電阻跨接在OSC_OUT晶振引腳之間,一方面可以限流避免晶振過(guò)振蕩,另一方面和匹配電容可以組成RC濾波,設(shè)置合適阻值大小將RC電路截止頻率設(shè)置為振蕩頻率可以濾除噪聲,經(jīng)過(guò)公式推算阻值大小可以按如下公式計(jì)算:
IN和OUT信號(hào)應(yīng)該盡量保持相近走線(xiàn)長(zhǎng)度,避免走線(xiàn)寄生電容差異導(dǎo)致匹配電容不一致。
